Транзисторы — это радиоэлементы, которые позволяют управлять постоянным током. Принцип действия транзистора можно сравнить с реле. Но в реле в основе принципа действия лежит электромагнитная индукция и механика. В транзисторе же — работают гномики этот принцип основан на полупроводниковом переходе.
Все транзисторы можно разделить на две категории: биполярные и полевые.
Биполярные транзисторы
Биполярные транзисторы различаются на npn- и pnp-транзисторы.
Рассмотрим K3N:
Это pnp-транзистор. т.е. транзистор, открывающийся отрицательным напряжением на базу:
Vcbo — Collector-Base Voltage — напряжение коллектор-база
Vceo — Collector-Emitter Voltage — напряжение коллектор-эмиттер
Vebo — Emitter-Base Voltage- напряжение эмиттер-база = -5V
Рассеиваемая мощность 300mW — 0.3Вт
Рассмотрим на примере теперь уже pnp-транзистора — C945:
- Напряжение коллектор-эмиттер — максимальное напряжение, на которое рассчитан транзистор, не более: 50 В
- Напряжение эмиттер-база — максимально допустимое напряжение открытия транзистора, не более: 5 V
- Ток коллектора — максимально допустимый ток коллектора, не более: 0.15 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт
- Максимальная частота тока: 150 МГц
- Корпус TO-92/SOT23
О чем это нам говорит? Транзистор довольно слабый: может пропустить всего лишь 0.15А. Но этого вполне хватит для наших экспериментов
Итак, прежде всего проверим транзистор на прозвонку: ток должен течь от Б к Э и К, в остальных направлениях должен показывать бесконечность.
Полевые транзисторы
В отличие от биполярных, полевые транзисторы управляются напряжением, а не током, а если быть точным — то электрическим полем, вызываемым этим напряжением. Отсюда и пошло название — полевой. Делятся они на n-канальный и p-канальный транзисторы.
Принцип их действия похож на биполярный. Они так же имеют три вывода, каждый из которых по функционалу аналогичен выводам биполярного:
- Вместо Базы — gate — затвор — управляющий вывод, сюда подается управляющее напряжение
- Sourse — исток. Сюда подается основное напряжение
- Drain — сток /*как дренаж*/ — выход напряжения
N канальный (N channel) транзистор открывается, когда на затвор подаётся напряжение и закрывается. когда напряжения нет. P канальный (P channel) работает наоборот: пока напряжения на затворе нет, через транзистор протекает ток.
Проверяется полевой транзистор иначе, нежели биполярный. Например, для n-канального в режиме прозвонки должно быть падение напряжения с Sourse на Drain. Принципы проверки биполярных транзисторов здесь неуместны.
n-канальный полевой транзистор IRF740 со следующим даташитом:
- Максимально допустимое напряжение VDS — 400V
- Максимально допустимое напряжение открытия/закрытия — VGS — 20V
- Максимально допустимый постоянный ток ID при VGS = 10 V и T=25С — 10A (но лучше не превышать 6А, т.к. при повышении температуры до 100 град. этот показатель падает).
- Максимальная рассеиваемая мощность PD — 125Вт
- Входная емкость Ciss — 1.400 нФ
И n-канальный полевой транзистор с аналогичной цоколевкой SW2N60:
Первая таблица. Будьте внимательно, это предельные параметры:
- Vdss — Drain to Source Voltage — 600V — максимальное напряжение, которое может пропускать транзистор (он же BVdss — напряжение обрыва)
- Id — Continuous Drain Current — 2A — предельная сила постоянного тока, которую можно проводить на Drain
- Vgs — Gate to Source Voltage — 30V — максимально-допустимое напряжение затвора gate /*по отношению к истоку sourse*/
Характеристики включения:
Vgs(th) Gate Threshold Voltage — напряжения на затворе [для открытия] — min — 2V, max — 4V
Мощный n-канальный транзистор fb31n20d
- Vdss, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В — 200В
-
Id, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А — 31АVgs, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В — ±30В
- Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт — 200Вт
Еще один n-канальный транзистор для 48V цепей 2SK3108
Предельные параметры:
- Vdss — Drain to Source Voltage (VGS = 0 V) — 200 V
- Id — Drain Current(DC) (TC = 25°C) (DC) — ±8.0 A
- Vgss — Gate to Source Voltage (VDS = 0 V) VGSS ±30 V
- Максимальная мощность рассеивания для затвора — Total Power Dissipation (TA = 25°C) PT1 2Вт
- Она же для стока — Total Power Dissipation (TC = 25°C) PT2 25 W
- Температура эксплуатации — Storage Temperature Tstg -55 to +150 °C
- Ток обрыва — Single Avalanche Current Ias 8.0 A
При Vgs = 0 Vds = 200V, при Vgs=30V Vds = 0V. Рекомендуемая Vgs = 10V, Vdd = 100-160V. Рекомендуемый старт при Vdd=100V, Vgs=20V
И еще один н-канальный IRF630
- Vdss — напряжение истока-стока — 200V
- Id — Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А — 9A
- Vgs — Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В — 20V